大功率GaN快充｜ZVS反激电源控制芯片RM6801ND

高效率、大功率

■专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，改善EMI特性；

■支持CCM/QR混合模式；

■支持最大130KHz工作频率；

■专有驱动技术，可直接驱动E-Mode GaN功率器件，省去外置驱动器件。

超低待机功耗

■ 内置700V高压启动；

■ 集成X-CAP放电功能；

■ 低启动电流（2uA），低工作电流；

■ 待机功耗<65mW。

优异的性能

■ 内置特有抖频技术改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 集成斜坡补偿及ZVS高低压补偿功能；

■ 集成AC输入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。


原理图

 

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