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亚成微25W 氮化镓(GaN)功率集成快充方案,是基于氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL + 超快关断同步整流控制芯片RM3434SA + 协议芯片RM6602T芯片组合,通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局,具有体积小、性能强、功耗低等特点,满足低成本、高效率、高可靠性小型化快充电源需求。
1.方案DEMO(尺寸:34mm×30mm×23mm)
芯片介绍:
主控采用亚成微氮化镓功率集成芯片RM6604NDL
次级芯片采用亚成微超快关断同步整流芯片RM3434SA
协议芯片采用亚成微RM6602T
方案特点:
■ 支持 CCM/QR 混合模式
■ 内置 650V GaN HEMT
■ 内置 700V 高压启动
■ 特有抖频技术改善 EMI;Burst Mode 去噪音
■ 低启动电流(2uA)和低工作电流
■ 集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿
■ 集成 AC 输入 Brown out/in 功能
■ 外置 OVP 保护
■ 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护
■ 内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护
■ 采用DFN5*6封装
2.方案原理图
3.待机功耗
4.能效测试
5.温升测试
6.传导测试
230V输入
5V/3A(L)测试结果
230V输入
5V/3A(N)测试结果
230V输入
9V/2.77A(L)测试结果
230V输入
9V/2.77A(N)测试结果